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Si7998DP
Vishay Siliconix
CHANNEL-2 TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
8 0
60
V GS = 10 V thr u 4 V
20
16
T C = - 55 °C
12
40
8
V GS = 3 V
T C = 25 °C
20
4
T C = 125 °C
0
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0.00 8
0.007
0.006
0.005
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
V GS = 4.5 V
2500
2000
1500
1000
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
C iss
V GS = 10 V
C oss
0.004
500
0.003
0
C rss
0
20
40
60
8 0
0
5
10
15
20
25
30
10
8
6
4
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current
I D = 20 A
V DS = 15 V
V DS = 24 V
1. 8
1.6
1.4
1.2
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
I D = 20 A
1.0
V GS = 4.5 V
2
0
0. 8
0.6
V GS = 10 V
0
7
14
21
2 8
35
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
www.vishay.com
8
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
Document Number: 68970
S09-0269-Rev. B, 16-Feb-09
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